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K9F5608U0C-DCB0

更新时间： 2024-01-03 00:17:31

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K9F5608U0C-DCB0 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA, BGA63,10X12,32	针数：	63
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.89
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	30 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	JESD-609代码：	e0
长度：	11 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	2K
端子数量：	63	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA63,10X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：	512 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1 mm
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

San 16 Banwol-Ri

Taean-Eup Hwasung- City

Kyungki Do, Korea

Tel.) 82 - 31 - 208 - 6463

Fax.) 82 - 31 -208 - 6799

ELECTRONICS

March. 2003

512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata

Description : Some of AC characteristics are not meeting the specification.

> AC characteristics : Refer to Table

Affected Products : K9F1208Q0A-XXB0, K9F1216Q0A-XXB0

K9F5608Q0C-XXB0, K9F5616Q0C-XXB0

K9K1208Q0C-XXB0, K9K1216Q0C-XXB0

Improvement schedule : The components without this restriction will

be available from work week 23 or after.

Workaround : Relax the relevant timing parameters according to the table.

Table

UNIT : ns

Parameters

Specification

tWC

tWH

tWP

tRC

tREH

tRP

tREA tCEA

Relaxed Condition

Sincerely,

chwoosun@sec.samsung.com

Product Planning & Application Eng.

Memory Division

Samsung Electronics Co.

12 3 4 5 6 7...39

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K9F5608U0C-DCB00	SAMSUNG	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63	获取价格
K9F5608U0C-DIB0	SAMSUNG	512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata	获取价格
K9F5608U0C-DIB00	SAMSUNG	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TBGA-63	获取价格
K9F5608U0C-F	SAMSUNG	512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata	获取价格
K9F5608U0C-FCB0	SAMSUNG	512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata	获取价格
K9F5608U0C-FCB00	SAMSUNG	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48	获取价格