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K9F5608U0C-DCB0

更新时间: 2024-11-25 22:18:31
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三星 - SAMSUNG 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
39页 654K
描述
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata

K9F5608U0C-DCB0 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA, BGA63,10X12,32针数:63
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.89
Is Samacsys:N最长访问时间:30 ns
命令用户界面:YES数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PBGA-B63JESD-609代码:e0
长度:11 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:2K
端子数量:63字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA封装等效代码:BGA63,10X12,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小:512 words并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
编程电压:2.7 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES座面最大高度:1 mm
部门规模:16K最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NAND TYPE宽度:9 mm
Base Number Matches:1

K9F5608U0C-DCB0 数据手册

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San 16 Banwol-Ri  
Taean-Eup Hwasung- City  
Kyungki Do, Korea  
Tel.) 82 - 31 - 208 - 6463  
Fax.) 82 - 31 -208 - 6799  
ELECTRONICS  
March. 2003  
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata  
Description : Some of AC characteristics are not meeting the specification.  
> AC characteristics : Refer to Table  
Affected Products : K9F1208Q0A-XXB0, K9F1216Q0A-XXB0  
K9F5608Q0C-XXB0, K9F5616Q0C-XXB0  
K9K1208Q0C-XXB0, K9K1216Q0C-XXB0  
Improvement schedule : The components without this restriction will  
be available from work week 23 or after.  
Workaround : Relax the relevant timing parameters according to the table.  
Table  
UNIT : ns  
Parameters  
Specification  
tWC  
45  
tWH  
15  
tWP  
25  
tRC  
50  
tREH  
15  
tRP  
25  
tREA tCEA  
30  
60  
45  
75  
Relaxed Condition  
80  
20  
60  
80  
20  
60  
Sincerely,  
chwoosun@sec.samsung.com  
Product Planning & Application Eng.  
Memory Division  
Samsung Electronics Co.  
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