Datasheet > 存储 > 闪存> K9F5608Q0C-HCB0

K9F5608Q0C-HCB0

更新时间： 2024-10-01 22:26:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
39页	654K
描述
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K9F5608Q0C-HCB0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA63,10X12,32	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	40 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	部门数/规模：	2K
端子数量：	63	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-10 °C	组织：	32MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA63,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.015 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	切换位：	NO
类型：	NAND TYPE	Base Number Matches：	1

K9F5608Q0C-HCB0 数据手册

San 16 Banwol-Ri

Taean-Eup Hwasung- City

Kyungki Do, Korea

Tel.) 82 - 31 - 208 - 6463

Fax.) 82 - 31 -208 - 6799

ELECTRONICS

March. 2003

512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata

Description : Some of AC characteristics are not meeting the specification.

> AC characteristics : Refer to Table

Affected Products : K9F1208Q0A-XXB0, K9F1216Q0A-XXB0

K9F5608Q0C-XXB0, K9F5616Q0C-XXB0

K9K1208Q0C-XXB0, K9K1216Q0C-XXB0

Improvement schedule : The components without this restriction will

be available from work week 23 or after.

Workaround : Relax the relevant timing parameters according to the table.

Table

UNIT : ns

Parameters

Specification

tWC

tWH

tWP

tRC

tREH

tRP

tREA tCEA

Relaxed Condition

Sincerely,

chwoosun@sec.samsung.com

Product Planning & Application Eng.

Memory Division

Samsung Electronics Co.

12 3 4 5 6 7...39

中文翻译

下载PDF

与K9F5608Q0C-HCB0相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F5608Q0C-HCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-63
K9F5608Q0C-HIB0	SAMSUNG	获取价格	512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata
K9F5608Q0C-HIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TBGA-63
K9F5608Q0C-JCB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63,
K9F5608Q0C-JIB0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63,
K9F5608Q0C-JIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F5608Q0C-JIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63,
K9F5608R0D	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608R0D-FCB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608R0D-FIB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory