5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1, TSSOP48,.8,20 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.86 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 30 ns | 其他特性： | CONTAINS ADDITIONAL 4M BIT NAND FLASH |
| 命令用户界面： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 1K |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小： | 256 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 8K | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | NO |
| 类型： | NAND TYPE | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9F2816U0C-YCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 8MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 |
|
| K9F2816U0C-YIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F2G08B0B | SAMSUNG |
获取价格 |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F2G08B0B-P | SAMSUNG |
获取价格 |
256M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F2G08Q0M | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
| K9F2G08Q0M-PCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX8, 45ns, PDSO48, |
|
| K9F2G08Q0M-PCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| K9F2G08Q0M-PIB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48 |
|
| K9F2G08Q0M-YCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 |
|
| K9F2G08R0A | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
