Datasheet > 存储 > 闪存> K9F2808U0M-YIB0

K9F2808U0M-YIB0

更新时间： 2024-02-10 01:53:46

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
26页	345K
描述
16M x 8 Bit NAND Flash Memory

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K9F2808U0M-YIB0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	35 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1K	端子数量：	48
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP48,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NAND TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

K9F2808U0M-YIB0 数据手册

K9F2808U0M-YCB0, K9F2808U0M-YIB0

FLASH MEMORY

Document Title

16M x 8 Bit NAND Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

1.0

Initial issue.

April 10th 1998

Preliminary

1. Changed tPROG Parameter : 1ms(Max.) ® 500ms(Max.)

2. Changed tBERS Parameter : 4ms(Max.) ® 3ms(Max.)

3. Changed Input and Output Timing Level 0.8V and 2.0V ® 1.5V

July 14th 1998

April 10th 1999

Final

1.1

1. Changed tR Parameter : 7ms(Max.) ® 10ms(Max.)

2. Changed Nop : 10 cycles(Max.) ® Main Array 2 cycles(Max.)

Spare Array 3 cycles(Max.)

3. Added CE don’t care mode during the data-loading and reading

1.2

1.3

1. Revised real-time map-out algorithm(refer to technical notes)

June 30th 1999

Sep. 15th 1999

Final

1. Changed device name

- KM29U128T -> K9F2808U0M-YCB0

- KM29U128IT -> K9F2808U0M-YIB0

1.4

1. Changed SE pin description

July 17th 2000

Final

- SE is recommended to coupled to GND or Vcc and should not be

toggled during reading or programming.

Note : For more detailed features and specifications including FAQ, please refer to Samsung’s Flash web site.

http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html

The attached datasheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right

to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you have

any questions, please contact the SAMSUNG branch office near you.

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