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K9F1G08U0D-SCB0 PDF预览

K9F1G08U0D-SCB0

更新时间： 2024-11-21 20:10:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
38页 481K
描述
Flash, 128MX8, 20ns, PDSO48,

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K9F1G08U0D-SCB0 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.8最长访问时间：20 ns
命令用户界面：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G48内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
部门数/规模：1K端子数量：48
字数：134217728 words字数代码：128000000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：2K words并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：128K最大待机电流：0.00008 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.035 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：NO类型：NAND TYPE
Base Number Matches：1

K9F1G08U0D-SCB0 数据手册

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Rev. 0.1, May. 2010  
K9F1G08U0D  
Advance  
1Gb NAND Flash  
Single-Level-Cell (1bit/cell)  
datasheet  
SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND  
SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.  
Products and specifications discussed herein are for reference purposes only. All information discussed  
herein is provided on an "AS IS" basis, without warranties of any kind.  
This document and all information discussed herein remain the sole and exclusive property of Samsung  
Electronics. No license of any patent, copyright, mask work, trademark or any other intellectual property  
right is granted by one party to the other party under this document, by implication, estoppel or other-  
wise.  
Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or  
similar applications where product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any  
military or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions  
may apply.  
For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.  
All brand names, trademarks and registered trademarks belong to their respective owners.  
ⓒ 2010 Samsung Electronics Co., Ltd. All rights reserved.  
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K9F1G08U0D-SCB0 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NAND01GW3B2AN6 STMICROELECTRONICS

功能相似

 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

与K9F1G08U0D-SCB0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F1G08U0D-SCB00 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F1G08U0D-SCB0000 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F1G08U0D-SIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
K9F1G08U0D-SIB0T SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 20ns, PDSO48
K9F1G08U0E SAMSUNG

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 		1Gb E-die NAND Flash
K9F1G08U0M SAMSUNG

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 		1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G08U0M-FCB0 SAMSUNG

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 		1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G08U0M-FCB00 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, PLASTIC, WSOP1-48
K9F1G08U0M-FIB0 SAMSUNG

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 		1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G08U0M-FIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, PLASTIC, WSOP1-48

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