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K8P5615UQA-PE4DT

更新时间： 2024-02-26 02:19:29

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三星 - SAMSUNG		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路闪存
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EEPROM Card, 16MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO56

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K8P5615UQA-PE4DT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	启动块：	BOTTOM/TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	EEPROM CARD
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
部门数/规模：	8,126	端子数量：	56
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	32K,128K	最大待机电流：	0.00006 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

K8P5615UQA-PE4DT 数据手册

K8P5615UQA

NOR FLASH MEMORY

256Mb A-die Page NOR Specification

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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Revision 1.1

July 2007

12 3 4 5 6 7...38

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K8P5615UQA-PI4D0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 70ns, PDSO56, 20 X 14 MM, LEAD FREE, TSOP1-56
K8P5615UQA-PI4DT	SAMSUNG	获取价格	EEPROM Card, 16MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO56
K8P5616UZB	SAMSUNG	获取价格	256Mb B-die Page NOR FLASH
K8P5616UZB-EC4E0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 80ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
K8P5616UZB-EE4E0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 80ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
K8P5616UZB-EI4E0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 80ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
K8P6415UQB-DC4B	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 60ns, PBGA48,
K8P6415UQB-DC4BT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 60ns, PBGA48
K8P6415UQB-DC4C	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 65ns, PBGA48
K8P6415UQB-DC4C0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 65ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-48

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