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K8P5615UQA-FI4DT PDF预览

K8P5615UQA-FI4DT

更新时间： 2024-01-08 10:51:57
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
38页 789K
描述
EEPROM Card, 16MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PBGA84

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K8P5615UQA-FI4DT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FBGA, BGA84,10X12,32
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.92
最长访问时间：70 ns启动块：BOTTOM/TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PBGA-B84
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：EEPROM CARD
内存宽度：16湿度敏感等级：3
部门数/规模：8,126端子数量：84
字数：16777216 words字数代码：16000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA84,10X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
部门规模：32K,128K最大待机电流：0.00006 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.05 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

K8P5615UQA-FI4DT 数据手册

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K8P5615UQA  
NOR FLASH MEMORY  
256Mb A-die Page NOR Specification  
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,  
AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.  
NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,  
EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,  
TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL  
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED  
ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.  
1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.  
2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar  
applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military or  
defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
1
Revision 1.1  
July 2007  
1234567...38

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与K8P5615UQA-FI4DT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K8P5615UQA-PE4D0 SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 70ns, PDSO56, 20 X 14 MM, LEAD FREE, TSOP1-56
K8P5615UQA-PE4DT SAMSUNG

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 		EEPROM Card, 16MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO56
K8P5615UQA-PI4D0 SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 70ns, PDSO56, 20 X 14 MM, LEAD FREE, TSOP1-56
K8P5615UQA-PI4DT SAMSUNG

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 		EEPROM Card, 16MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO56
K8P5616UZB SAMSUNG

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 		256Mb B-die Page NOR FLASH
K8P5616UZB-EC4E0 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 16MX16, 80ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
K8P5616UZB-EE4E0 SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 80ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
K8P5616UZB-EI4E0 SAMSUNG

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 		Flash, 16MX16, 80ns, PBGA64, 11 X 13 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64
K8P6415UQB-DC4B SAMSUNG

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 		Flash, 4MX16, 60ns, PBGA48,
K8P6415UQB-DC4BT SAMSUNG

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