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K8P5615UQA-DE4D0

更新时间： 2024-02-21 19:47:49

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
38页	789K
描述
Flash, 16MX16, 70ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-84

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K8P5615UQA-DE4D0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA, BGA84,10X12,32
针数：	84	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	70 ns
启动块：	BOTTOM/TOP	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PBGA-B84	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
部门数/规模：	8,126	端子数量：	84
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA84,10X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	32K,128K
最大待机电流：	0.00006 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

K8P5615UQA-DE4D0 数据手册

K8P5615UQA

NOR FLASH MEMORY

256Mb A-die Page NOR Specification

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Revision 1.1

July 2007

12 3 4 5 6 7...38

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K8P5615UQA-DE4DT	SAMSUNG	获取价格	EEPROM Card, 16MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PBGA84
K8P5615UQA-DI4D0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 70ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-84
K8P5615UQA-DI4DT	SAMSUNG	获取价格	EEPROM Card, 16MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PBGA84
K8P5615UQA-FC4D0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 70ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, FBGA-84
K8P5615UQA-FE4D0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 70ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, FBGA-84
K8P5615UQA-FE4DT	SAMSUNG	获取价格	EEPROM Card, 16MX16, 70ns, Parallel, CMOS, PBGA84
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K8P5615UQA-PE4D0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 16MX16, 70ns, PDSO56, 20 X 14 MM, LEAD FREE, TSOP1-56
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