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K8D6316UBM-PI08T

更新时间： 2024-02-08 10:28:56

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
48页	640K
描述
Flash, 4MX16, 80ns, PDSO56

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K8D6316UBM-PI08T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最长访问时间：	80 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	部门数/规模：	8,127
端子数量：	56	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP56,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	8K,64K
最大待机电流：	0.00003 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	Base Number Matches：	1

K8D6316UBM-PI08T 数据手册

K8D6x16UTM / K8D6x16UBM

FLASH MEMORY

Document Title

64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

1.0

1.1

Initial Draft

January 10, 2002

Preliminary

Final Specification

May 22, 2002

Final

Revised

June 18, 2003

- Release the stand-by current from typ. 5uA(max. 18uA) to typ.

10uA(max. 30uA).

1.2

Not support 48TSOP1 Package

Not support 16M/16M BANK partition

November 18, 2003

July 22, 2004

1.3

1.4

1.5

Support 48TSOP1 Package

Support 48TSOP1 Lead Free Package

Support 48FBGA Leaded/Lead Free Package

September 16,

2004

March 16, 2005

Revision 1.5

March 2005

12 3 4 5 6 7...48

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K8D6316UBM-PI09	SAMSUNG	获取价格	64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory
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