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K7N803645M-PC15

更新时间： 2024-09-27 06:34:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	398K
描述
ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100

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K7N803645M-PC15 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	最长访问时间：	3.8 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	150 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	36
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	2.38 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.32 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	Base Number Matches：	1

K7N803645M-PC15 数据手册

K7N803645M

K7N801845M

256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAM^TM

Document Title

256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM^TM

Revision History

History

Rev.No.

Draft Date

Remark

1. Initial document.

0.0

September. 1997

Preliminary

1. Changed speed bin from 167MHz to 150MHz

2. Changed DC Parameters;

0.1

November. 1997

Preliminary

ICC : from 400mA to 450mA , ISB : from 60mA to 20mA

ISB2 : from 50mA to 85mA

1. Changed speed bin from 150MHz to 167MHz

2. Changed Power from 3.3V to 2.5V

0.2

March. 11. 1998

Preliminary

3. Changed N.C pins to Power and ZZ Pin #14, #16, #64, #66

4. Changed some control pin names.

from CEN to CKE, from BWEx to BWx

5. Modify absolute maximum ratings

VDD ; from 4.0V to 3.6V, VIN ; from 4.6V to 3.6V

6. Changed DC parameters

ISB ; from 20mA to 80mA, ISB2 ; from 85mA to 10mA

VOL ; from 0.4V to 0.2V, VOH ; from 2.4V to 2.0V

VIL ; from 0.8V to 0.7V, VIH ; from 2.0V to 1.7V

7. ADD the sleep mode timing and characteristics

CKE controlled timing and CS controlled timing

1. Removed speed bin 167MHz

0.3

April. 11. 1998

Preliminary

2.Changed AC parameters

tHZOE ; from 4.0 to 3.5 , tHZC;from 4.0 to 3.5 at -75

tHZOE ; from 5.0 to 3.5 , tHZC;from 5.0 to 3.5 , tCL/H; 4.0 to 3.0 at -10

3.Modify Sleep Mode Waveform.

Changed Sleep Mode Electrical Characteristics .

tPDS ;from Max 2cycle to Min 2cycle

tPUS ; from Max 2cycle to Min 2cycle

1.Modify from ADV to ADV at timing.

0.4

0.5

June. 02. 1998

Aug. 19. 1998

Preliminary

2.ADD the Trade Mark( NtRAM^TM

)

1. Changed DC parameters

ISB1; from 10mA to 20mA, ISB2 ; from 10mA to 20mA

1. Changed tCD,tOE from 4.0ns to 4.2ns at -75.

0.6

0.7

Sep. 28. 1998

Nov. 10. 1998

Preliminary

1. Changed DC condition at Icc and parameters

ICC ; from 420mA to 320mA at -67 , from 370mA to 300mA at -75

from 300mA to 250mA at -10.

ISB ; from 70mA to 60mA at -67 , from 60mA to 50mA at -75

from 50mA to 40mA at -10.

1.Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V .

1. Add 119BGA(7x17 Ball Grid Array Package) .

1. Final spec release

0.8

0.9

1.0

2.0

Dec. 23. 1998

Mar. 03. 1999

April. 01. 1999

Oct. 30. 1999

Preliminary

Final

1. Add tCYC 167Mhz.

Final

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

November 1999

Rev 3.0

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