Datasheet > K7N803609B-PC25T

K7N803609B-PC25T

更新时间： 2024-11-20 04:20:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	393K
描述
ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7N803609B-PC25T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.84	最长访问时间：	2.6 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	36
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.06 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.47 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm

K7N803609B-PC25T 数据手册

K7N803609B

K7N801809B

256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAM^TM

8Mb NtRAM Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 5.0 April 2006

- 1 -

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与K7N803609B-PC25T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7N803609B-PI25	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100
K7N803609B-PI250	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
K7N803609B-QC20	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100
K7N803609B-QC200	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N803609B-QC25	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM
K7N803609B-QC250	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7N803609B-QC25T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100
K7N803645A-HC10	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7N803645A-HC10T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA119
K7N803645A-HC13	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119

与K7N803609B-PC25T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N803609B-PC25T

K7N803609B-PC25T 技术参数

K7N803609B-PC25T 数据手册

与K7N803609B-PC25T相关器件

与K7N803609B-PC25T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N803609B-PC25T

K7N803609B-PC25T 技术参数

K7N803609B-PC25T 数据手册

与K7N803609B-PC25T相关器件

与K7N803609B-PC25T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？