生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | BGA, | 针数: | 119 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 2.6 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 119 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX36 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 宽度: | 14 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N803609B-HI22 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7N803609B-PC25 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N803609B-PC25T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 | |
K7N803609B-PI25 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N803609B-PI250 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100 | |
K7N803609B-QC20 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 | |
K7N803609B-QC200 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 256KX36, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7N803609B-QC25 | SAMSUNG |
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256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAM | |
K7N803609B-QC250 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7N803609B-QC25T | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100 |