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K6X1008T2D-BF70T

更新时间： 2024-01-24 07:17:48
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 155K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32

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K6X1008T2D-BF70T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP, SOP32,.56Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP32,.56
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.000006 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.02 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

K6X1008T2D-BF70T 数据手册

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K6X1008T2D Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Data  
Remark  
0.0  
0.1  
Initial draft  
July 15, 2002  
Preliminary  
Revised  
December 4, 2002  
Preliminary  
- Deleted 32-TSOP1-0820R, 32-TSOP1-0813.4F/R Package Type.  
- Added Commercial product.  
- Added 55ns product( Vcc = 3.0V~3.6V)  
0.2  
1.0  
Revised  
June 23, 2003  
Preliminary  
Final  
- Added Lead Free 32-SOP-525 Product  
- Added Lead Free 32-TSOP1-0820F Product  
Finalized  
September 16, 2003  
- Changed ICC from 3mA to 2mA  
- Changed ICC2 from 25mA to 20mA  
- Changed ISB1(Commercial) from 10mA to 6mA  
- Changed ISB1(industrial) from 10mA to 6mA  
- Changed ISB1(Automotive) from 20mA to 10mA  
- Changed IDR(Commercial) from 10mA to 6mA  
- Changed IDR(industrial) from 10mA to 6mA  
- Changed IDR(Automotive) from 20mA to 10mA  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 1.0  
September 2003  
1234567...9

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与K6X1008T2D-BF70T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K6X1008T2D-BF85 SAMSUNG

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 		128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
K6X1008T2D-BF850 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32
K6X1008T2D-BF85T SAMSUNG

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 		暂无描述
K6X1008T2D-BQ700 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32
K6X1008T2D-BQ85 SAMSUNG

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 		Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32
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 		Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-32
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 		Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
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 		Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32

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