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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TSOP, TSOP44,.46,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 85 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.045 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T4016U3C-TF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T4016U3C-TF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T4016U3C-TF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| K6T4016U3C-TF70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 |
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| K6T4016U3C-TF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6T4016U3C-TF85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PDSO44 |
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| K6T4016U4C-ZF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 6.10 X 8.90 MM, 0.75 MM PITCH, MICRO, BGA-48 |
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| K6T4016V3B-RB70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
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| K6T4016V3B-RB700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
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| K6T4016V3B-RB85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44 |
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