是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1, TSSOP32,.8,20 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP32,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.035 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6T2008V2A-TF70T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 | |
K6T2008V2A-TF85 | SAMSUNG |
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256Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | |
K6T2008V2A-TF850 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
K6T2008V2A-TF85T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 | |
K6T2008V2A-YB70 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | |
K6T2008V2A-YB700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
K6T2008V2A-YB70T | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
K6T2008V2A-YB85 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | |
K6T2008V2A-YB850 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
K6T2008V2A-YB85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |