是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | VFBGA, BGA36,6X8,30 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B36 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 7 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 36 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装等效代码: | BGA36,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1 mm |
最大待机电流: | 0.000003 A | 最小待机电流: | 1.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.02 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 6 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6F4008U2E-F | SAMSUNG |
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512K x 8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM | |
K6F4008U2G | SAMSUNG |
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512K x 8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM | |
K6F4008U2G-EF55 | SAMSUNG |
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SRAM | |
K6F4008U2G-EF550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48/36 | |
K6F4008U2G-EF70 | SAMSUNG |
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SRAM | |
K6F4008U2G-EF700 | SAMSUNG |
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暂无描述 | |
K6F4008U2G-F | SAMSUNG |
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512K x 8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM | |
K6F4008V1C-YF550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
K6F4008V1D-YF550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
K6F4008V1D-YF55T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 |