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K6F3216R6M-EF850

更新时间： 2024-09-30 19:41:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	150K
描述
Standard SRAM, 2MX16, 85ns, CMOS, PBGA55, 7.50 X 12 MM, 0.75 MM, TBGA-55

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K6F3216R6M-EF850 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	55
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B55
长度：	12 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	55
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

Preliminary

K6F3216R6M Family

CMOS SRAM

Document Title

2M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

0.0 Initial draft

Draft Date

July 30, 2002

Remark

Preliminary

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 0.0

July 2002

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6F3216T6M	SAMSUNG	获取价格	2M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F3216T6M-EF55	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX16, 55ns, CMOS, PBGA55, 7.50 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-55
K6F3216T6M-F	SAMSUNG	获取价格	2M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F3216U6M	SAMSUNG	获取价格	2M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F3216U6M-EF55	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX16, 55ns, CMOS, PBGA55, 7.50 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-55
K6F3216U6M-EF70	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 2MX16, 70ns, CMOS, PBGA55, 7.50 X 12 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-55
K6F3216U6M-F	SAMSUNG	获取价格	2M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
K6F4008R2C-FF70	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 6.50 X 8.50 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F4008R2C-FF70T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PBGA36
K6F4008R2C-FF85	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PBGA48, 6.50 X 8.50 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48