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K6E1008C1B-JC15T

更新时间： 2024-09-27 10:16:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	187K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32

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K6E1008C1B-JC15T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOJ, SOJ32,.44	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最长访问时间：	15 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ32,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.125 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K6E1008C1B-JC15T 数据手册

PRELIMINARY

K6E1008C1B-C

CMOS SRAM

Document Title

128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Evolutionary Pin out.

Revision History

Rev.No.

Rev. 0.0

Rev. 1.0

History

Draft Data

Remark

Initial release with Design Target.

Feb. 1st 1997

Jun. 1st 1997

Design Target

Preliminary

Release to Preliminary Data Sheet.

1.1. Replace Design Target to Preliminary.

Rev. 2.0

Release to Final Data Sheet.

Feb. 6th 1998

Final

2.1. Delete Preliminary.

2.2. Delete 17ns, L-version and Industrial Temperature Part.

2.3. Delete VOH1=3.95V.

2.4. Delete Data Retention Characteristics and Wave form.

2.5. Relex operating current.

Speed

15ns

17ns

20ns

130mA

120mA

110mA

Now

125mA

123mA

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Rev 2.0

February 1998

- 1 -

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6E1008C1B-JC20	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K6E1008C1B-S15	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K6E1008C1B-S20	SAMSUNG	获取价格	SRAM
K6E1008C1B-SC20	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32
K6F1008R2A-FI10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F1008R2A-FI70	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F1008R2A-YI10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32
K6F1008R2A-YI10T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32
K6F1008R2A-YI70T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
K6F1008R2M-GC30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 300ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32

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