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K6E0808V1C-JC15

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	180K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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K6E0808V1C-JC15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOJ, SOJ28,.34	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最长访问时间：	15 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ28,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.0001 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K6E0808V1C-JC15 数据手册

PRELIMINARY

CMOS SRAM

K6E0808V1C-C

Document Title

32Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating), Evolutionary Pin out.

Revision History

RevNo.

Rev. 0.0

Rev. 1.0

History

Draft Data

Remark

Preliminary

Final

Initial release with Preliminary.

Jun. 1st, 1994

Oct. 4th, 1994

Release to final Data Sheet.

1. Delete Preliminary

Rev. 2.0

Rev. 3.0

2.1. Add 28-TSOP1 Package.

Feb. 22th, 1996

Feb. 25th, 1998

Final

3.1. Delete DIP Package.

3.2. Delete 20ns part

3.3. Add Capacitive load of the test environment in A.C test load

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Rev 3.0

February 1998

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