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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA60,9X11,32 | 针数： | 60 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.83 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 400 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 9.5 mm | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 134217728 words | 字数代码： | 128000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128MX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA60,9X11,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 4,8 | 最大待机电流： | 0.008 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.135 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4T51063QI-HCE70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, |
|
| K4T51083QB-GCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb B-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51083QB-GCCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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| K4T51083QB-GCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb B-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51083QB-GLD50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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| K4T51083QB-ZCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb B-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51083QB-ZCD5 | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb B-die DDR2 SDRAM |
|
| K4T51083QB-ZCD50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| K4T51083QC | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb C-die DDR2 SDRAM |
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| K4T51083QC-ZCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
512Mb C-die DDR2 SDRAM |
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