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K4T51043QI-HLE60

更新时间： 2024-11-25 10:07:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
46页	1043K
描述
DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60

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K4T51043QI-HLE60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA60,9X11,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.45 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e3
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	1
端子数量：	60	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	128MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA60,9X11,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	子类别：	DRAMs
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4T51043QI-HLE60 数据手册

Rev. 1.1, Jul. 2011

K4T51043QI

K4T51083QI

K4T51163QI

512Mb I-die DDR2 SDRAM

60 & 84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.

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