Datasheet > K4T51043QG-HLD50

K4T51043QG-HLD50

更新时间： 2024-09-19 08:31:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
47页	1021K
描述
DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4T51043QG-HLD50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X11,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.83	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	9.5 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	95 °C	最低工作温度：
组织：	128MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
最大待机电流：	0.0045 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.175 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.5 mm
Base Number Matches：	1

K4T51043QG-HLD50 数据手册

K4T51043QG

K4T51083QG

K4T51163QG

DDR2 SDRAM

512Mb G-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Lead-Free and Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 December 2008

1 of 47

12 3 4 5 6 7...47

中文翻译

下载PDF

与K4T51043QG-HLD50相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T51043QG-HLE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51043QG-HLE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T51043QG-HLE7T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T51043QG-HLF7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T51043QI	SAMSUNG	获取价格	DDR2 SDRAM Memory
K4T51043QI-HCE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60
K4T51043QI-HCE7	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60
K4T51043QI-HCE70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51043QI-HCLE6	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51043QI-HLE60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.45ns, CMOS, PBGA60

与K4T51043QG-HLD50相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

20
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

18
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

95
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

85

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T51043QG-HLD50

K4T51043QG-HLD50 技术参数

K4T51043QG-HLD50 数据手册

与K4T51043QG-HLD50相关器件

与K4T51043QG-HLD50相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4T51043QG-HLD50

K4T51043QG-HLD50 技术参数

K4T51043QG-HLD50 数据手册

与K4T51043QG-HLD50相关器件

与K4T51043QG-HLD50相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？