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K4S64323LF-DS1L

更新时间： 2024-11-25 22:14:23

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K4S64323LF-DS1L 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	长度：	13 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	2MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA90,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8/2.5,2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.4 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.0005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4S64323LF-S(D)G/S

CMOS SDRAM

2Mx32

Mobile SDRAM

90FBGA

(VDD/VDDQ 2.5V/1.8V or 2.5V/2.5V, PASR & TCSR)

Revision 1.5

December 2002

Rev. 1.5 Dec 2002

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