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K4N51163QC-ZC25

更新时间： 2024-11-18 22:40:59

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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512Mbit gDDR2 SDRAM

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K4N51163QC-ZC25 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA84,9X15,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B84
JESD-609代码：	e1	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	端子数量：	84
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA84,9X15,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	4,8
子类别：	DRAMs	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

K4N51163QC-ZC25 数据手册

512M gDDR2 SDRAM

K4N51163QC-ZC

512Mbit gDDR2 SDRAM

Revision 1.5

October 2005

Notice

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev 1.5 Oct. 2005

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K4N51163QC-ZC2AT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84
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