生命周期: | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.51 | Is Samacsys: | N |
当前传输比率-最小值: | 10% | 最大正向电流: | 0.06 A |
最大正向电压: | 1.3 V | 最大绝缘电压: | 2500 V |
安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT | 元件数量: | 1 |
最大通态电流: | 0.1 A | 最高工作温度: | 100 °C |
最低工作温度: | -30 °C | 最大功率耗散: | 0.15 W |
最长响应时间: | 0.00001 s | 子类别: | Optocoupler - Transistor Outputs |
表面贴装: | NO | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4N38A | KODENSHI |
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Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
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K4N51163QC-GC25T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
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K4N51163QC-GC2AT | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84 |
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K4N51163QC-GC33 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.47ns, CMOS, PBGA84 |
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K4N51163QC-GC36 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84 |
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K4N51163QC-GC36T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84 |
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K4N51163QC-ZC | SAMSUNG |
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512Mbit gDDR2 SDRAM |
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K4N51163QC-ZC25 | SAMSUNG |
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512Mbit gDDR2 SDRAM |
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K4N51163QC-ZC250 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
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K4N51163QC-ZC2A | SAMSUNG |
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512Mbit gDDR2 SDRAM |
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