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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.79 | 当前传输比率-最小值： | 50% |
| 最大正向电流： | 0.05 A | 最大正向电压： | 1.3 V |
| 最大绝缘电压： | 2500 V | 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT |
| 元件数量： | 1 | 最大通态电流： | 0.05 A |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -30 °C |
| 最大功率耗散： | 0.15 W | 最长响应时间： | 0.000006 s |
| 子类别： | Optocoupler - Transistor Outputs | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4N36 | KODENSHI |
获取价格 |
Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
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| K4N37 | KODENSHI |
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Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
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| K4N38 | KODENSHI |
获取价格 |
Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
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| K4N38A | KODENSHI |
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Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting) |
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| K4N51163QC-GC25T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4N51163QC-GC2AT | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4N51163QC-GC33 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.47ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4N51163QC-GC36 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4N51163QC-GC36T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84 |
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| K4N51163QC-ZC | SAMSUNG |
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512Mbit gDDR2 SDRAM |
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