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K4N26323AE-GC200

更新时间： 2024-02-24 09:22:35

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K4N26323AE-GC200 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA,	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B144	长度：	13 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	4MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

128M GDDR2 SDRAM

K4N26323AE-GC

128Mbit GDDR2 SDRAM

1M x 32Bit x 4 Banks

GDDR2 SDRAM

with Differential Data Strobe and DLL

Revision 1.7

January 2003

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev. 1.7 (Jan. 2003)

12 3 4 5 6 7...52

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4N26323AE-GC22	SAMSUNG	获取价格	128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC25	SAMSUNG	获取价格	128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC250	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, FBGA-144
K4N27	KODENSHI	获取价格	Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
K4N28	KODENSHI	获取价格	Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
K4N29	KODENSHI	获取价格	Photocoupler(These Photocouplers cosist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
K4N29A	KODENSHI	获取价格	Photocoupler(These Photocouplers cosist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
K4N30	KODENSHI	获取价格	Photocoupler(These Photocouplers cosist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
K4N31	KODENSHI	获取价格	Photocoupler(These Photocouplers cosist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
K4N32	KODENSHI	获取价格	Photocoupler(These Photocouplers cosist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)