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K4N26323AE-GC20

更新时间: 2024-02-07 10:18:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
52页 825K
描述
128Mbit GDDR2 SDRAM

K4N26323AE-GC20 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA144,12X12,32
针数:144Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.35 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):500 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PBGA-B144
JESD-609代码:e0长度:13 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:4MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装等效代码:BGA144,12X12,32
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.8,2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.4 mm自我刷新:YES
连续突发长度:4最大待机电流:0.11 A
子类别:DRAMs最大压摆率:1.4 mA
最大供电电压 (Vsup):2.6 V最小供电电压 (Vsup):2.4 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:13 mmBase Number Matches:1

K4N26323AE-GC20 数据手册

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128M GDDR2 SDRAM  
K4N26323AE-GC  
128Mbit GDDR2 SDRAM  
1M x 32Bit x 4 Banks  
GDDR2 SDRAM  
with Differential Data Strobe and DLL  
Revision 1.7  
January 2003  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
- 1 -  
Rev. 1.7 (Jan. 2003)  

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