K4N25G

更新时间： 2024-02-26 16:01:42

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Photocoupler(These Photocouplers cosist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)

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K4N25G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
当前传输比率-最小值：	50%	最大正向电流：	0.05 A
最大正向电压：	1.3 V	最大绝缘电压：	5000 V
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	元件数量：	1
最大通态电流：	0.05 A	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	最大功率耗散：	0.15 W
最长响应时间：	0.000006 s	子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

K4N25G 数据手册

Photocoupler

K4N25G • K4N25H

These Photocouplers cosist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting

Diode and a Silicon NPN Phototransistor in a 6-pin package.

DIMENSION

(Unit : mm)

7.62 0.25

6.4

FEATURES

• TTL Compatible Output

• Collector-Emitter Voltage : Min.50V

• Current Transfer Ratio : Typ.100% (at IF=5mA, VCE=5V)

• Electrical Isolation Voltage : AC5000Vrms

• UL Recognized File No. E107486

• K4N25G - No Base Connection,

K4N25H - With Base Connection

0.25

8.9 0.25

Orientation Mark

PIN NO. AND INIERNAL

CONNECION DIAGRAM

K4N25G

APPLICATIONS

0.5

K4N25H

1.2

2.54 0.25

• Interface between two circuits of different potential

• Vending Machine, Copiers

• Measuring Instrument

• Home Appliances

MAXIMUM RATINGS

(Ta=25℃

Unit

)

Parameter

Symbol

Rating

Forward Current

Reverse Voltage

Peak Forward Current ^*1

IFP

Input

Power Dissipation

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Collector Breakdown Voltage

Collector-Base Breakdown Voltage**

Emitter-Base Breakdown Voltage**

Collector Current

BVCEO

BVECO

BVCBO

BVEBO

Output

Vrms

Collector Power Dissipation

Input to Output Isolation Voltage^*2

150

Viso

AC5000

-55~+125 ℃

-30~+100

260

Storage Temperature

Tstg

Operating Temperature

Lead Soldering Temperature^*3

Topr

℃

Tsol

Total Power Dissipation

Ptot

200

** Except for K4N25G

*1. Input current with 100 pulse width, 1% duty cycle

*2. Measured at RH=40~60% for 1min

*3. 1/16 inch form case for 10sec

1/3

12 3

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与K4N25G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4N25H	KODENSHI	获取价格	Photocoupler(These Photocouplers cosist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
K4N26	KODENSHI	获取价格	Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
K4N26323AE	SAMSUNG	获取价格	128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC20	SAMSUNG	获取价格	128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC200	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, FBGA-144
K4N26323AE-GC22	SAMSUNG	获取价格	128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC25	SAMSUNG	获取价格	128Mbit GDDR2 SDRAM
K4N26323AE-GC250	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, FBGA-144
K4N27	KODENSHI	获取价格	Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)
K4N28	KODENSHI	获取价格	Photocoupler(These Photocouplers consist of a Gallium Arsenide Infrared Emitting)

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