Datasheet > K4M64163PK-RF1L0

K4M64163PK-RF1L0

更新时间： 2024-02-29 19:49:20

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	115K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4M64163PK-RF1L0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	111 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
JESD-609代码：	e0	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

K4M64163PK-RF1L0 数据手册

K4M64163PK - R(B)E/G/C/F

Mobile-SDRAM

1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA

FEATURES

• 1.8V power supply.

GENERAL DESCRIPTION

The K4M64163PK is 67,108,864 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 16 bits,

fabricated with SAMSUNG′s high performance CMOS technol-

ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock, and I/O transactions are possible on every

clock cycle. Range of operating frequencies, programmable

burst lengths and programmable latencies allow the same

device to be useful for a variety of high bandwidth and high per-

formance memory system applications.

• LVCMOS compatible with multiplexed address.

• Four banks operation.

• MRS cycle with address key programs.

-. CAS latency (1, 2 & 3).

-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page).

-. Burst type (Sequential & Interleave).

• EMRS cycle with address key programs.

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock.

• Burst read single-bit write operation.

• Special Function Support.

-. PASR (Partial Array Self Refresh).

-. Internal TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)

-. DS (Driver Strength)

• DQM for masking.

• Auto refresh.

• 64ms refresh period (4K cycle).

• Commercial Temperature Operation (-25°C ~ 70°C).

• Extended Temperature Operation (-25°C ~ 85°C).

• 54Balls FBGA ( -RXXX -Pb, -BXXX -Pb Free).

ORDERING INFORMATION

Part No.

Max Freq.

Interface

Package

K4M64163PK-R(B)E/G/C/F75

K4M64163PK-R(B)E/G/C/F90

K4M64163PK-R(B)E/G/C/F1L

133MHz(CL3), 83MHz(CL2)

111MHz(CL3), 83MHz(CL2)

54 FBGA Pb

(Pb Free)

LVCMOS

111MHz(CL=3)^*1, 66MHz(CL2)

- R(B)E/G : Normal / Low Power, Extended Temperature(-25°C ~ 85°C)

- R(B)C/F : Normal / Low Power, Commercial Temperature(-25°C ~ 70°C)

Notes :

1. In case of 40MHz Frequency, CL1 can be supported.

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS, AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PRO-

VIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar applications where Product failure could

result in loss of life or personal or physical harm, or any military or defense application, or any governmental procurement to which special terms or pro-

visions may apply.

October 2005

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与K4M64163PK-RF1L0相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4M64163PK-RF75	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4M64163PK-RF750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54
K4M64163PK-RF90	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4M64163PK-RF900	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54
K4M64163PK-RG1L	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4M64163PK-RG75	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4M64163PK-RG750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54
K4M64163PK-RG90	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4M64163PK-RG900	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, FBGA-54
K4MD2BBA12SGW85	SUNLED	获取价格	28mmX28mm LED CLUSTER

与K4M64163PK-RF1L0相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

6
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

7
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4M64163PK-RF1L0

K4M64163PK-RF1L0 技术参数

K4M64163PK-RF1L0 数据手册

与K4M64163PK-RF1L0相关器件

与K4M64163PK-RF1L0相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4M64163PK-RF1L0

K4M64163PK-RF1L0 技术参数

K4M64163PK-RF1L0 数据手册

与K4M64163PK-RF1L0相关器件

与K4M64163PK-RF1L0相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？