是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | VFBGA, BGA90,9X15,32 |
针数: | 90 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.9 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 5.4 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B90 |
长度: | 13 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 90 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 8MX32 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA | 封装等效代码: | BGA90,9X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.16 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4M56323LG-FL7LT | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90 | |
K4M56323LG-FN60 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90 | |
K4M56323LG-FN600 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 | |
K4M56323LG-FN75T | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90 | |
K4M56323LG-FN7L0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 | |
K4M56323LG-HF60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90 | |
K4M56323LG-HF600 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90 | |
K4M56323LG-HF60T | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90 | |
K4M56323LG-HF75 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90 | |
K4M56323LG-HF7L0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90 |