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K4G323222A-QL7C

更新时间： 2024-09-24 14:42:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
49页	1128K
描述
Synchronous Graphics RAM, 1MX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100

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K4G323222A-QL7C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	TQFP, TQFP100,.7X.9,25
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.9	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	100
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TQFP	封装等效代码：	TQFP100,.7X.9,25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

K4G323222A-QL7C 数据手册

K4G323222A

CMOS SGRAM

32Mbit SGRAM

512K x 32bit x 2 Banks

Synchronous Graphic RAM

LVTTL

Revision 1.3

December 2000

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 (Dec. 2000)

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