5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > K4E171612C-TL500
K4E171612C-TL500 PDF预览

K4E171612C-TL500

更新时间： 2024-11-05 19:32:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 553K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44,

阅读下载

中文翻译

获取价格

K4E171612C-TL500 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：TSOP, TSOP44/50,.46,32Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83Is Samacsys：N
最长访问时间：50 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：16
端子数量：44字数：1048576 words
字数代码：1000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP44/50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096自我刷新：YES
最大待机电流：0.0002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.1 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

K4E171612C-TL500 数据手册

 浏览型号K4E171612C-TL500的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4E171612C-TL500的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4E171612C-TL500的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4E171612C-TL500的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4E171612C-TL500的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4E171612C-TL500的Datasheet PDF文件第7页 
K4E171611C, K4E151611C  
K4E171612C, K4E151612C  
CMOS DRAM  
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out  
DESCRIPTION  
This is a family of 1,048,576 x 16 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of  
memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (1K Ref. or 4K  
Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features  
of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-  
refresh operation is available in L-version. This 1Mx16 EDO Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢ s advanced CMOS pro-  
cess to realize high band-width, low power consumption and high reliability. It may be used as graphic memory unit for microcomputer,  
personal computer and portable machines.  
FEATURES  
• Part Identification  
• Extended Data Out Mode operation  
(Fast Page Mode with Extended Data Out)  
• 2 CAS Byte/Word Read/Write operation  
- K4E171611C-J(T)(5V, 4K Ref.)  
• CAS-before-RAS refresh capability  
- K4E151611C-J(T) (5V, 1K Ref.)  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
- K4E171612C-J(T)(3.3V, 4K Ref.)  
- K4E151612C-J(T)(3.3V, 1K Ref.)  
• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• ActivePowerDissipation  
Unit : mW  
5V  
3.3V  
Speed  
• Available in plastic SOJ 400mil and TSOP(II) packages  
• Single +5V±10% power supply (5V product)  
• Single +3.3V±0.3V power supply (3.3V product)  
4K  
1K  
4K  
1K  
-45  
-50  
-60  
360  
324  
288  
540  
504  
468  
550  
495  
440  
825  
770  
715  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
• Refresh Cycles  
Part  
Refresh Refresh period  
VCC  
RAS  
UCAS  
LCAS  
W
NO.  
cycle  
Vcc  
Vss  
Normal L-ver  
Control  
Clocks  
VBB Generator  
K4E171611C  
5V  
4K  
1K  
64ms  
16ms  
K4E171612C 3.3V  
K4E151611C 5V  
Lower  
128ms  
Data in  
Buffer  
DQ0  
to  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
K4E151612C 3.3V  
DQ7  
Lower  
Data out  
Buffer  
Memory Array  
1,048,576 x16  
Cells  
OE  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Upper  
Data in  
Buffer  
• Performance Range  
DQ8  
to  
DQ15  
Speed  
-45  
Remark  
tRAC  
45ns  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
A0-A11  
(A0 - A9)*1  
A0 - A7  
Upper  
Data out  
Buffer  
69ns  
84ns  
16ns 5V/3.3V  
20ns 5V/3.3V  
Column Decoder  
(A0 - A9)*1  
-50  
-60  
17ns 104ns 25ns 5V/3.3V  
Note) *1 : 1K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...35

中文翻译

下载PDF

与K4E171612C-TL500相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4E171612C-TL50T SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44,
K4E171612C-TL60 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
K4E171612D SAMSUNG

获取价格

 		1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E171612D-JC45 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
K4E171612D-JC450 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42,
K4E171612D-JC50 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
K4E171612D-JC500 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42,
K4E171612D-JC600 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42,
K4E171612D-TC45T SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44,
K4E171612D-TC500 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44,

与K4E171612C-TL500相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证