Datasheet > K4E160411D-F5000

K4E160411D-F5000

更新时间： 2024-11-20 14:16:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	256K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4E160411D-F5000 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TSOP2,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
长度：	17.14 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

K4E160411D-F5000 数据手册

K4E170411D, K4E160411D

K4E170412D, K4E160412D

CMOS DRAM

4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION

This is a family of 4.194,304 x 4 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of

memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (2K Ref. or 4K

Ref.), access time (-50 or -60), power consumption(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of

this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh

operation is available in L-version. This 4Mx4 EDO DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high

band-width, low power consumption and high reliability. It may be used as main memory unit for high level computer, microcomputer and

personal computer.

FEATURES

• Part Identification

• Extended Data Out Mode operation

(Fast Page Mode with Extended Data Out)

• CAS-before-RAS refresh capability

- K4E170411D-B(F) (5V, 4K Ref.)

• RAS-only and Hidden refresh capability

- K4E160411D-B(F) (5V, 2K Ref.)

• Self-refresh capability (L-ver only)

- K4E170412D-B(F) (3.3V, 4K Ref.)

- K4E160412D-B(F) (3.3V, 2K Ref.)

• Fast parallel test mode capability

• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs

• Early Write or output enable controlled write

• JEDEC Standard pinout

• ActivePowerDissipation

Unit : mW

• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages

• Single +5V±10% power supply (5V product)

• Single +3.3V±0.3V power supply (3.3V product)

3.3V

Speed

324

288

-50

-60

396

360

495

440

605

550

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

• Refresh Cycles

Part

Refresh Refresh period

RAS

CAS

Vcc

Vss

VCC

Control

Clocks

NO.

cycle

Normal L-ver

VBB Generator

K4E170411D

64ms

128ms

32ms

Data in

K4E170412D 3.3V

K4E160411D 5V

Buffer

Row Decoder

Refresh Timer

Refresh Control

Refresh Counter

K4E160412D 3.3V

DQ0

DQ3

Memory Array

4,194,304 x4

Cells

• Performance Range

A0-A11

(A0 - A10)*1

A0 - A9

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

Speed

-50

Remark

20ns 5V/3.3V

tRAC

50ns

60ns

tCAC

15ns

tRC

tHPC

Data out

Buffer

Column Decoder

(A0 - A10)*1

84ns

-60

17ns 104ns 25ns 5V/3.3V

Note) *1 : 2K Refresh

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to

change products and specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

与K4E160411D-F5000相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4E160411D-F6000	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24
K4E160411D-FC600	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
K4E160411D-FL50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
K4E160412C-BC500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
K4E160412C-BC600	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
K4E160412C-BL500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
K4E160412C-FC50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
K4E160412C-FC500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
K4E160412D	SAMSUNG	获取价格	4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E160412D-B5000	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24

与K4E160411D-F5000相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4E160411D-F5000

K4E160411D-F5000 技术参数

K4E160411D-F5000 数据手册

与K4E160411D-F5000相关器件

与K4E160411D-F5000相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4E160411D-F5000

K4E160411D-F5000 技术参数

K4E160411D-F5000 数据手册

与K4E160411D-F5000相关器件

与K4E160411D-F5000相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？