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K4C561638F-TCD3

更新时间: 2024-11-02 06:11:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
42页 878K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 0.85ns, CMOS, PDSO66,

K4C561638F-TCD3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83最长访问时间:0.85 ns
最大时钟频率 (fCLK):166 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4JESD-30 代码:R-PDSO-G66
JESD-609代码:e0内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
端子数量:66字数:16777216 words
字数代码:16000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
连续突发长度:2,4子类别:DRAMs
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

K4C561638F-TCD3 数据手册

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K4C5608/1638F  
256Mb Network-DRAM  
256Mb Network-DRAM Specification  
Version 0.0  
- 1 -  
REV. 0.0 Dec. 2003  

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