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K4C561638C-TCB

更新时间： 2024-11-01 13:09:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
42页	880K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-66

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K4C561638C-TCB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.65 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.324 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.65 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.35 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4C561638C-TCB 数据手册

K4C5608/1638C

256Mb Network-DRAM

256Mb Network-DRAM Specification

Version 0.7

- 1 -

REV. 0.7 Aug. 2003

12 3 4 5 6 7...42

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