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Datasheet > K3P4C1000E-TC120
K3P4C1000E-TC120 PDF预览

K3P4C1000E-TC120

更新时间： 2024-09-23 18:47:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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K3P4C1000E-TC120 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：SOP,
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.92最长访问时间：120 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDSO-G44
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

K3P4C1000E-TC120 数据手册

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K3P4C1000E-TC  
CMOS MASK ROM  
8M-Bit (1Mx8 / 512Kx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
1,048,576 x 8(byte mode)  
524,288 x 16(word mode)  
· Fast access time  
Random Access : 100ns(Max.)@CL=50pF,  
120ns(Max.)@CL=100pF  
The K3P4C1000E-TC is a fully static mask programmable ROM  
fabricated using silicon gate CMOS process technology, and is  
organized either as 1,048,576 x 8(byte mode) or as 524,288 x  
16(word mode) depending on BHE voltage level.(See mode  
selection table)  
This device includes page read mode function, page read mode  
allows 4 words (or 8 bytes) of data to read fast in the same  
page, CE and A2 ~ A18 should not be changed.  
Page Access  
: 30ns(Max.)@CL=50pF  
40ns(Max.)@CL=100pF  
4 Words / 8 Bytes page access  
· Supply voltage : single +5V  
· Current consumption  
This device operates with a 5V single power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Operating : 80mA(Max.)  
Standby : 50mA(Max.)  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
· Fully static operation  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
· Package  
The K3P4C1000E-TC is packaged in a 44-TSOP2.  
-. K3P4C1000E-TC : 44-TSOP2-400  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
N.C  
A18  
A17  
A7  
N.C  
N.C  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
44  
43  
A18  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
(524,288x16/  
1,048,576x8)  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
.
.
.
.
.
.
.
.
42 A8  
A9  
41  
A6  
A5  
40 A10  
39 A11  
38 A12  
37 A13  
A4  
A3  
A2  
Y
SENSE AMP.  
DATA OUT  
BUFFERS  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
A14  
A15  
36  
35  
A1 10  
A0 11  
CE 12  
A2  
34 A16  
TSOP2  
33 BHE  
32 VSS  
A0~A1  
A-1  
. . .  
VSS  
13  
OE 14  
31 Q15/A-1  
CE  
Q0  
Q7  
30  
15  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
Q8 16  
29 Q14  
28 Q6  
27 Q13  
26 Q5  
25 Q12  
OE  
Q1  
Q9  
17  
18  
19  
BHE  
Q2  
Q10 20  
Q3  
Q4  
21  
22  
24  
23  
Pin Name  
A0 - A1  
Pin Function  
Q11  
VCC  
Page Address Inputs  
A2 - A18  
Address Inputs  
Data Outputs  
K3P4C1000E-TC  
Q0 - Q14  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
OE  
Output Enable  
Power ( +5V)  
Ground  
VCC  
VSS  
N.C  
No Connection  
1234

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与K3P4C1000E-TC120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3P4C1000E-TC150 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3P4U1000D-DC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3P4U1000D-GC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3P4U1000D-TC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3P4U1000D-TC120 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3P4U1000D-TE12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3P4U1000D-TE120 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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