Datasheet > K3N6C1000E-GC120

K3N6C1000E-GC120

更新时间： 2024-11-21 20:10:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
3页	59K
描述
MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K3N6C1000E-GC120 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	28.5 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	12.6 mm
Base Number Matches：	1

K3N6C1000E-GC120 数据手册

K3N6C1000E-GC

CMOS MASK ROM

32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

4,194,304x8(byte mode)

2,097,152x16(word mode)

· Fast access time

100ns(Max.) : CL=50pF

120ns(Max.) : CL=100pF

· Supply voltage : single +5V

· Current consumption

Operating : 50mA(Max.)

Standby : 50mA(Max.)

· Fully static operation

The K3N6C1000E-GC is a fully static mask programmable

ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,

and is organized either as 4,194,304x8 bit(byte mode) or as

2,097,152x16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

This device operates with a 5V single power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N6C1000E-GC is packaged in a 44-SOP.

· Package

-. K3N6C1000E-GC : 44-SOP-600

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A20

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

N.C

A18

A20

A19

(2,097,152x16/

4,194,304x8)

DECODER

A17

40 A10

A11

SENSE AMP.

BUFFERS

38 A12

37 A13

BUFFERS

AND

A14

DECODER

A15

A-1

A16

SOP

CE 12

BHE

VSS

32 VSS

Q15/A-1

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

Q14

BHE

Q13

Q10 20

Q12

Pin Name

A0 - A20

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

Q11

VCC

Q0 - Q14

K3N6C1000E-GC

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power (+5V)

Ground

VCC

VSS

N.C

No Connection

12 3

中文翻译

下载PDF

与K3N6C1000E-GC120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K3N6C1000E-GC15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N6C1000E-GC150	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N6C1000E-TC100	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N6C1000E-TC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N6C1000E-TC150	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N6C1000E-YC10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N6C1000E-YC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N6C1000E-YC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
K3N6C1000F-C10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM
K3N6C1000F-C12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM

与K3N6C1000E-GC120相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N6C1000E-GC120

K3N6C1000E-GC120 技术参数

K3N6C1000E-GC120 数据手册

与K3N6C1000E-GC120相关器件

与K3N6C1000E-GC120相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N6C1000E-GC120

K3N6C1000E-GC120 技术参数

K3N6C1000E-GC120 数据手册

与K3N6C1000E-GC120相关器件

与K3N6C1000E-GC120相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？