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K1713-09

更新时间： 2024-10-26 22:32:43
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 光电光电器件
页数 文件大小 规格书
4页 132K
描述
Two-color detector

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K1713-09 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：TO-5, 4 PINReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.40.60.50风险等级：5.58
Is Samacsys：N其他特性：SI PHOTODIODE MOUNTED OVER AN INGAAS PIN PHOTODIODE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最大暗电源：0.15 nA
红外线范围：YES功能数量：1
最高工作温度：70 °C最低工作温度：-40 °C
峰值波长：940 nm最小反向击穿电压：5 V
形状：ROUND尺寸：6.3 mm
Base Number Matches：1

K1713-09 数据手册

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U V T O I R D E T E C T O R  
Two-color detector  
K1713-05/-08/-09  
Wide spectral response range from UV to IR  
K1713 series incorporates an infrared-transmitting Si photodiode mounted over an InGaAs PIN photodiode, along the same optical axis.  
Features  
Applications  
Wide spectral response range  
Allows same optical path design  
4-pin TO-5 package  
Spectrophotometers  
Laser monitors  
General ratings / Absolute maximum ratings  
ꢀ
Absolute maximum ratings  
Active  
area  
Reverse  
voltage  
VR  
Operating  
temperature  
Topr  
Storage  
temperature  
Tstg  
Detector  
element  
Type No.  
Package  
Cooling  
(mm)  
2.4 × 2.4  
f0.5  
(V)  
(°C)  
(°C)  
Si  
InGaAs  
Si  
5
20  
5
K1713-05  
K1713-08  
K1713-09  
2.4 × 2.4  
f1  
TO-5  
No-cooled  
-40 to +70  
-55 to +85  
InGaAs  
Si  
2
2.4 × 2.4  
f1  
5
InGaAs  
10  
Electrical and optical characteristics (Typ. Ta=25 °C, unless otherwise noted)  
ꢀ
Rise time  
tr  
VR=0 V  
Terminal  
capacitance  
Ct  
VR=5 V  
f=1 MHz  
Peak Photo  
sensitivity sensitivity  
Dark current  
ID  
VR=10 mV  
Shunt  
Resistance  
Rsh  
D*  
l=lp  
Detector  
element  
wavelength  
lp  
S
l=lp  
Type No.  
RL=1 kW  
10 to 90 %  
Typ.  
(nA)  
Max.  
(nA)  
(µm)  
0.94  
1.55  
0.94  
2.30  
0.94  
1.55  
(A/W)  
0.45  
0.55  
0.45  
0.60  
0.45  
0.55  
(cm · Hz1/2/W)  
1.4 × 1013  
3.5 × 1012  
1.4 × 1013  
2.3 × 1010  
1.4 × 1013  
3.5 × 1012  
(ns)  
200 *3  
1.5 *4  
200 *3  
23 *4  
200 *3  
7*4  
(pF)  
60 *5  
12  
60 *5  
200 *2  
60 *5  
90  
(MW)  
300  
300  
300  
Si  
InGaAs  
Si  
30 (pA) 150 (pA)  
0.5 *1 2.5 *1  
30 (pA) 150 (pA)  
K1713-05  
K1713-08  
K1713-09  
InGaAs  
Si  
15 (µA) *2 75 (µA) *2 3 (kW)  
300  
30 (pA) 150 (pA)  
5 *1  
100  
InGaAs  
1 *1  
*1: VR=5 V  
*2: VR=1 V  
*3: l=655 nm  
*4: VR=5 V, RL=50 W  
*5: VR=0 V, f=10 kHz  
1
1234

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