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JS28F640P30TF75A

更新时间： 2024-12-02 12:27:03
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存
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90页 1194K
描述
Numonyx® Axcell™ P30-65nm Flash Memory

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JS28F640P30TF75A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.8最长访问时间：75 ns
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G56内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
部门数/规模：4,63端子数量：56
字数：4194304 words字数代码：4000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP56,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：8 words并行/串行：PARALLEL
电源：1.8,1.8/3.3 V认证状态：Not Qualified
部门规模：16K,64K最大待机电流：0.000055 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.05 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：NO类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

JS28F640P30TF75A 数据手册

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Numonyx® Axcell™ P30-65nm Flash Memory  
128-Mbit, 64-Mbit Single Bit per Cell (SBC)  
Datasheet  
Product Features  
„ High Performance:  
„ Enhanced Security:  
— 65ns initial access time for Easy BGA and  
QUAD+  
— Absolute write protection: VPP = Vss  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down capability  
— Password Access feature  
— 75ns initial access time for TSOP  
— 25ns 8-word asynchronous-page read mode  
— 52MHz with zero WAIT states, 17ns clock-to-  
data output synchronous-burst read mode  
— One-Time Programmable Register:  
— 4-, 8-, 16- and continuous-word options for  
burst mode  
— 64 OTP bits, programmed with unique  
information by Numonyx  
— 1.8V Low Power buffered programming at  
1.8MByte/s (Typ) using 256-word buffer  
— 2112 OTP bits, available for customer  
programming  
— Buffered Enhanced Factory Programming at  
3.2MByte/s (typ) using 256-word buffer  
„ Software:  
— 20µs (Typ) program suspend  
„ Architecture:  
— 20µs (Typ) erase suspend  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Basic Command Set and Extended Function  
Interface (EFI) Command Set compatible  
— Four 32-KByte parameter blocks: top or  
bottom configuration  
— Common Flash Interface capable  
— 128-KByte array blocks  
„ Density and Packaging:  
— Blank Check to verify an erased block  
— 56-Lead TSOP (128-Mbit, 64-Mbit)  
— 64-Ball Easy BGA (128-Mbit, 64-Mbit)  
— 88-Ball QUAD+ Package (128-Mbit)  
— 16-bit wide data bus  
„ Voltage and Power:  
— VCC (core) voltage: 1.7V – 2.0V  
— VCCQ (I/O) voltage: 1.7V – 3.6V  
— Standby current: 30µA(Typ)/55µA(Max)  
„ Quality and Reliability:  
— Continuous synchronous read current: 23mA  
(Typ)/28mA (Max) at 52MHz  
— JESD47E Compliant  
— Operating temperature: –40°C to +85°C  
— Minimum 100,000 erase cycles  
— 65nm process technology  
Datasheet  
1
Apr 2010  
Order Number: 208033-02  
1234567...90

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