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JS28F512M29EWLA

更新时间： 2024-11-30 12:09:31
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
75页 855K
描述
Parallel NOR Flash Embedded Memory

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JS28F512M29EWLA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20针数：56
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.43
Is Samacsys：N最长访问时间：110 ns
备用内存宽度：8命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G56JESD-609代码：e4
长度：18.4 mm内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：512
端子数量：56字数：33554432 words
字数代码：32000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP56,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：16/32 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：128K最大待机电流：0.000225 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.031 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：14 mm
Base Number Matches：1

JS28F512M29EWLA 数据手册

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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash  
Features  
Parallel NOR Flash Embedded Memory  
JS28F256M29EWxx, PC28F256M29EWxx, RC28F256M29EWxx  
JS28F512M29EWxx, PC28F512M29EWxx, RC28F512M29EWxx  
JS28F00AM29EWxx, PC28F00AM29EWxx, RC28F00AM29EWxx  
PC28F00BM29EWxx, RC28F00BM29EWxx  
• VPP/WP# pin protection  
– Protects first or last block regardless of block  
protection settings  
• Software protection  
Features  
• 2Gb = stacked device (two 1Gb die)  
• Supply voltage  
– VCC = 2.7–3.6V (program, erase, read)  
– VCCQ = 1.65–3.6V (I/O buffers)  
• Asynchronous random/page read  
– Page size: 16 words or 32 bytes  
– Page access: 25ns  
– Random access: 100ns (Fortified BGA);  
110ns (TSOP)  
• Buffer program: 512-word program buffer  
• Program time  
– Volatile protection  
– Nonvolatile protection  
– Password protection  
– Password access  
• Extended memory block  
– 128-word (256-byte) block for permanent, secure  
identification  
– Programmed or locked at the factory or by the  
customer  
– 0.88µs per byte (1.14 MB/s) TYP when using full  
512-word buffer size in buffer program  
• Memory organization  
– Uniform blocks: 128-Kbytes or 64-Kwords each  
• Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Program/erase suspend and resume capability  
– Read from any block during a PROGRAM SUS-  
PEND operation  
– Read or program another block during an ERASE  
SUSPEND operation  
• Low power consumption: Standby mode  
• JESD47H-compliant  
– 100,000 minimum ERASE cycles per block  
– Data retention: 20 years (TYP)  
• 65nm multilevel cell (MLC) process technology  
• Fortified BGA and TSOP packages  
• Green packages available  
– RoHS-compliant  
– Halogen-free  
• Operating temperature  
– Ambient: –40°C to +85°C  
• BLANK CHECK operation to verify an erased block  
• Unlock bypass, block erase, chip erase, and write to  
buffer capability  
– Fast buffered/batch programming  
– Fast block/chip erase  
PDF: 09005aef849b4b09  
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2012 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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JS28F512M29EWLA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JS28F512M29EWHB MICRON

完全替代

 Parallel NOR Flash Embedded Memory
JS28F512M29EWHA MICRON

完全替代

 Parallel NOR Flash Embedded Memory
JS28F512P30BFA MICRON

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JS28F512M29EWLB MICRON

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 		Parallel NOR Flash Embedded Memory
JS28F512P30BF NUMONYX

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 		Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F512P30BF MICRON

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 		Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
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