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JS28F320J3F75A

更新时间： 2024-02-29 02:55:36
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
66页 703K
描述
Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65 nm) Single Bit per Cell (SBC)

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JS28F320J3F75A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73最长访问时间：75 ns
备用内存宽度：8命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G56内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
部门数/规模：32端子数量：56
字数：2097152 words字数代码：2000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP56,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：4/8 words并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：128K
最大待机电流：0.00012 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.08 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：NO
类型：NOR TYPEBase Number Matches：1

JS28F320J3F75A 数据手册

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Numonyx® Embedded Flash Memory (J3 65  
nm) Single Bit per Cell (SBC)  
32, 64, and 128 Mbit  
Datasheet  
Product Features  
„ Architecture  
„ Security  
— Symmetrical 128-KB blocks  
— 128 Mbit (128 blocks)  
— 64 Mbit (64 blocks)  
— Enhanced security options for code  
protection  
— Absolute protection with VPEN = Vss  
— Individual block locking  
— 32 Mbit (32 blocks)  
— Block erase/program lockout during power  
transitions  
— Password Access feature  
— One-Time Programmable Register:  
64 OTP bits, programmed with unique  
information by Numonyx  
— Blank Check to verify an erased block  
„ Performance  
— Initial Access Speed: 75ns  
— 25 ns 8-word Asynchronous page-mode  
reads  
— 256-Word write buffer for x16 mode, 256-  
Byte write buffer for x8 mode;  
1.41 µs per Byte Effective programming  
time  
64 OTP bits, available for customer  
programming  
„ Software  
— Program and erase suspend support  
— Numonyx® Flash Data Integrator (FDI)  
— Common Flash Interface (CFI) Compatible  
— Scalable Command Set  
„ System Voltage  
— VCC = 2.7 V to 3.6 V  
— VCCQ = 2.7 V to 3.6 V  
„ Packaging  
„ Quality and Reliability  
— 56-Lead TSOP  
— 64-Ball Easy BGA package  
— Operating temperature:  
-40 °C to +85 °C  
— 100K Minimum erase cycles per block  
— 65 nm Flash Technology  
— JESD47E Compliant  
208032-03  
Jan 2011  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2010 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
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