Datasheet > JS28F320J3D75B

JS28F320J3D75B

更新时间： 2024-11-30 18:12:47

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
66页	769K
描述
Flash, 2MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JS28F320J3D75B 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56	针数：	56
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.7
最长访问时间：	75 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	JESD-609代码：	e4
长度：	18.4 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	56
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

JS28F320J3D75B 数据手册

Numonyx™ Embedded Flash Memory (J3 v D)

32, 64, 128, and 256 Mbit (Monolithic)

Datasheet

Product Features

Architecture

Security

— Symmetrical 128-Kbyte blocks

— 256 Mbit (256 blocks)

— 128 Mbit (128 blocks)

— 64 Mbit (64 blocks)

— 32 Mbit (32 blocks)

— Enhanced security options for code

protection

— 128-bit Protection Register:

64-bits Unique device identifier bits

64-bits User-programmable OTP bits

— Absolute protection with V_PEN= GND

— Individual block locking

Performance

— Block erase/program lockout during power

transitions

— 75 ns Initial Access Speed (32,64,128

Mbit densities)

— 95 ns Initial Access Speed (256Mbit only)

— 25 ns 8-word and 4-word Asynchronous

page-mode reads

Software

— Program and erase suspend support

— Flash Data Integrator (FDI), Common Flash

Interface (CFI) Compatible

— 32-Byte Write buffer;

4 µs per Byte Effective programming time

Quality and Reliability

System Voltage

— Operating temperature:

-40 °C to +85 °C

— 100K Minimum erase cycles per block

— 0.13 µm ETOX™ VIII Process technology

— V_CC= 2.7 V to 3.6 V

— V_CCQ= 2.7 V to 3.6 V

Packaging

— 56-Lead TSOP (32, 64, 128, 256 Mbit)

— 64-Ball Numonyx Easy BGA package (32,

64, 128 and 256 Mbit)

316577-06

December 2007

12 3 4 5 6 7...66

中文翻译

下载PDF

与JS28F320J3D75B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JS28F320J3D75D	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F320J3D75E	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F320J3D75F	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F320J3F75	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F320J3F-75	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F320J3F75A	NUMONYX	获取价格	NumonyxÂ® Embedded Flash Memory (J3 65 nm) Si
JS28F320J3F75B	MICRON	获取价格	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
JS28F320J3F75E	MICRON	获取价格	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
JS28F512M29EWHA	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory
JS28F512M29EWHB	MICRON	获取价格	Parallel NOR Flash Embedded Memory

与JS28F320J3D75B相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

52
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

41
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

69
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

65

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JS28F320J3D75B

JS28F320J3D75B 技术参数

JS28F320J3D75B 数据手册

与JS28F320J3D75B相关器件

与JS28F320J3D75B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JS28F320J3D75B

JS28F320J3D75B 技术参数

JS28F320J3D75B 数据手册

与JS28F320J3D75B相关器件

与JS28F320J3D75B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？