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JS28F256P30TF

更新时间： 2024-01-13 13:35:12
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 时钟光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
91页 983K
描述
Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56

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JS28F256P30TF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20
针数：56Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.67最长访问时间：110 ns
其他特性：ASYNCHRONOUS READ MODE启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G56
长度：18.4 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：4,255
端子数量：56字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP56,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：1.8,1.8/3.3 V
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,64K
最大待机电流：0.00021 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.031 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：14 mm
Base Number Matches：1

JS28F256P30TF 数据手册

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NumonyxTM StrataFlash® Embedded Memory  
(P30-65nm)  
256-Mbit, 512-Mbit (256M/256M)  
Datasheet  
Product Features  
„ High performance  
„ Security  
— 100 ns initial access for Easy BGA  
— 110 ns initial access for TSOP  
— 25 ns 16-word asynchronous-page read mode  
— 52 MHz with zero WAIT states, 17ns clock-to-  
data output synchronous-burst read mode  
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word options for  
burst mode  
— One-Time Programmable Register:  
• 64 unique factory device identifier bits  
• 2112 user-programmable OTP bits  
— Absolute write protection: V = V  
PP  
SS  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down  
— Buffered Enhanced Factory Programming  
(BEFP) at 2.0 MByte/s (Typ) using 512-word  
buffer  
— Password Access feature  
„ Software  
— 20 µs (Typ) program suspend  
— 20 µs (Typ) erase suspend  
— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized  
— Basic Command Set and Extended Function  
Interface (EFI) Command Set compatible  
— Common Flash Interface capable  
— 1.8 V buffered programming at 1.5MByte/s  
(Typ) using 512-word buffer  
„ Architecture  
— Multi-Level Cell Technology: Highest Density  
at Lowest Cost  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Four 32-KByte parameter blocks: top or  
bottom configuration  
„ Density and Packaging  
— 56-Lead TSOP package (256-Mbit only)  
— 64-Ball Easy BGA package (256, 512-Mbit)  
— Numonyx™ QUAD+ SCSP (256, 512-Mbit)  
— 16-bit wide data bus  
— 128-KByte main blocks  
— Blank Check to verify an erased block  
„ Voltage and Power  
„ Quality and Reliability  
— V (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V  
CC  
CCQ  
— Operating temperature: –40 °C to +85 °C  
— Minimum 100,000 erase cycles per block  
— ETOX™ X process technology  
— V  
(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V  
— Standby current: 65 µA (Typ) for 256-Mbit;  
— 52 MHz continuos synchronous read current:  
21mA (Typ)/24mA(Max)  
Datasheet  
1
Apr 2009  
Order Number: 320002-08  
1234567...91

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与JS28F256P30TF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JS28F256P30TFA MICRON

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 		Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
JS28F256P30TFE MICRON

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 		256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
JS28F256P33B95 INTEL

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 		Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F256P33B95A NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56
JS28F256P33B95A MICRON

获取价格

 		64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
JS28F256P33B95B NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F256P33B95B MICRON

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JS28F256P33BF MICRON

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JS28F256P33BFA NUMONYX

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 		Flash, 16MX16, 105ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F256P33BFA MICRON

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 		Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard

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