Datasheet > JS28F256P30B95A

JS28F256P30B95A

更新时间： 2024-02-25 00:46:43

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
97页	1161K
描述
Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JS28F256P30B95A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	最长访问时间：	95 ns
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
部门数/规模：	4,255	端子数量：	56
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	4 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8,1.8/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.000115 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.051 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
Base Number Matches：	1

JS28F256P30B95A 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory

(P30)

Datasheet

Product Features

High performance

Security

— One-Time Programmable Registers:

— 85 ns initial access

• 64 unique factory device identifier bits

• 2112 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP Space in Main Array:

• Four pre-defined 128-KByte blocks (top or bottom

configuration)

— 52 MHz with zero wait states, 17ns clock-to-data output

synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode

— Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5 μs/

byte (Typ)

• Up to Full Array OTP Lockout

— Absolute write protection: V = V

— 1.8 V buffered programming at 7 μs/byte (Typ)

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

Architecture

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest

Cost

Software

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom

configuration

— 20 μs (Typ) program suspend

— 20 μs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Command Set

compatible

— 128-KByte main blocks

Voltage and Power

— V (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V

— Common Flash Interface capable

— V

(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V

CCQ

Density and Packaging

— Standby current: 20μA (Typ) for 64-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

13 mA (Typ) at 40 MHz

— 56- Lead TSOP package (64, 128, 256,

512- Mbit)

— 64- Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,

128, 256, 512- Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,

512- Mbit)

Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology

— 16-bit wide data bus

306666-12

August 2008

12 3 4 5 6 7...97

中文翻译

下载PDF

与JS28F256P30B95A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JS28F256P30B95B	NUMONYX	获取价格	暂无描述
JS28F256P30BF	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F256P30BFA	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F256P30BFA	MICRON	获取价格	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
JS28F256P30BFB	MICRON	获取价格	1.7V to 2.0V VCC (core) voltage, 1.7V to 3.6V VCCQ (I/O) voltage
JS28F256P30BFE	MICRON	获取价格	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
JS28F256P30BFF	MICRON	获取价格	256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm
JS28F256P30T85	INTEL	获取价格	Intel StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T95	NUMONYX	获取价格	Numonyx StrataFlash Embedded Memory
JS28F256P30T95A	NUMONYX	获取价格	Flash, 16MX16, 95ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JS28F256P30B95A

JS28F256P30B95A 技术参数

JS28F256P30B95A 数据手册

与JS28F256P30B95A相关器件

与JS28F256P30B95A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JS28F256P30B95A

JS28F256P30B95A 技术参数

JS28F256P30B95A 数据手册

与JS28F256P30B95A相关器件

与JS28F256P30B95A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？