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JS28F128P30T85

更新时间： 2024-02-07 13:24:49

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恒忆 - NUMONYX		闪存存储内存集成电路光电二极管
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99页	1401K
描述
Numonyx StrataFlash Embedded Memory

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JS28F128P30T85 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56	针数：	56
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
最长访问时间：	88 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	长度：	18.4 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
功能数量：	1	端子数量：	56
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	1.8 V
认证状态：	COMMERCIAL	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

JS28F128P30T85 数据手册

Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory

(P30)

Datasheet

Product Features

High performance

Security

— One-Time Programmable Registers:

— 85 ns initial access

• 64 unique factory device identifier bits

• 2112 user-programmable OTP bits

— Selectable OTP Space in Main Array:

• Four pre-defined 128-KByte blocks (top or bottom

configuration)

— 52 MHz with zero wait states, 17ns clock-to-data output

synchronous-burst read mode

— 25 ns asynchronous-page read mode

— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode

— Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5 μs/

byte (Typ)

• Up to Full Array OTP Lockout

— Absolute write protection: V = V

— 1.8 V buffered programming at 7 μs/byte (Typ)

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

Architecture

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest

Cost

Software

— Asymmetrically-blocked architecture

— Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom

configuration

— 20 μs (Typ) program suspend

— 20 μs (Typ) erase suspend

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Command Set

compatible

— 128-KByte main blocks

Voltage and Power

— V (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V

— Common Flash Interface capable

— V

(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V

CCQ

Density and Packaging

— Standby current: 20μA (Typ) for 64-Mbit

— 4-Word synchronous read current:

13 mA (Typ) at 40 MHz

— 56- Lead TSOP package (64, 128, 256,

512- Mbit)

— 64- Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,

128, 256, 512- Mbit)

— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,

512- Mbit)

Quality and Reliability

— Operating temperature: –40 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ VIII process technology

— 16-bit wide data bus

Order Number: 306666-11

November 2007

12 3 4 5 6 7...99

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
JS28F128P30T85A	NUMONYX	Flash, 8MX16, 88ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56	获取价格
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JS28F128P33B85	NUMONYX	Flash, 8MX16, 85ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56	获取价格
JS28F128P33B85A	NUMONYX	Flash, 8MX16, 85ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56	获取价格
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JS28F128P33BF70	NUMONYX	NumonyxÂ® P33-65nm Flash Memory	获取价格

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