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JS28F128P30B85A

更新时间： 2024-01-18 22:43:40
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
99页 1401K
描述
Flash, 8MX16, 88ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56

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JS28F128P30B85A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82最长访问时间：85 ns
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PDSO-G56内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
部门数/规模：4,127端子数量：56
字数：8388608 words字数代码：8000000
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP56,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：4 words并行/串行：PARALLEL
电源：1.8,1.8/3.3 V认证状态：Not Qualified
部门规模：16K,64K最大待机电流：0.000075 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.051 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：NO类型：NOR TYPE
Base Number Matches：1

JS28F128P30B85A 数据手册

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®
Numonyx™ StrataFlash Embedded Memory  
(P30)  
Datasheet  
Product Features  
„ High performance  
„ Security  
— One-Time Programmable Registers:  
— 85 ns initial access  
• 64 unique factory device identifier bits  
• 2112 user-programmable OTP bits  
— Selectable OTP Space in Main Array:  
• Four pre-defined 128-KByte blocks (top or bottom  
configuration)  
— 52 MHz with zero wait states, 17ns clock-to-data output  
synchronous-burst read mode  
— 25 ns asynchronous-page read mode  
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode  
— Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5 μs/  
byte (Typ)  
• Up to Full Array OTP Lockout  
— Absolute write protection: V = V  
PP  
SS  
— 1.8 V buffered programming at 7 μs/byte (Typ)  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down  
„ Architecture  
— Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest  
Cost  
„ Software  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom  
configuration  
— 20 μs (Typ) program suspend  
— 20 μs (Typ) erase suspend  
— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized  
— Basic Command Set and Extended Command Set  
compatible  
— 128-KByte main blocks  
„ Voltage and Power  
— V (core) voltage: 1.7 V – 2.0 V  
CC  
— Common Flash Interface capable  
— V  
(I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V  
CCQ  
„ Density and Packaging  
— Standby current: 20μA (Typ) for 64-Mbit  
— 4-Word synchronous read current:  
13 mA (Typ) at 40 MHz  
— 56- Lead TSOP package (64, 128, 256,  
512- Mbit)  
— 64- Ball Numonyx™ Easy BGA package (64,  
128, 256, 512- Mbit)  
— Numonyx™ QUAD+ SCSP (64, 128, 256,  
512- Mbit)  
„ Quality and Reliability  
— Operating temperature: –40 °C to +85 °C  
— Minimum 100,000 erase cycles per block  
— ETOX™ VIII process technology  
— 16-bit wide data bus  
Order Number: 306666-11  
November 2007  
1234567...99

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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