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JS28F128J3F-75

更新时间： 2024-01-10 22:16:41

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恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
66页	707K
描述
Flash, 8MX16, 75ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP-56

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JS28F128J3F-75 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSSOP, TSSOP56,.8,20
针数：	56	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.66	最长访问时间：	75 ns
备用内存宽度：	8	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	长度：	18.4 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	128	端子数量：	56
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP56,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	4/8 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.00012 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.054 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

JS28F128J3F-75 数据手册

Numonyx™ Embedded Flash Memory (J3 65

nm) Single Bit per Cell (SBC)

32, 64, and 128 Mbit

Datasheet

Product Features

Architecture

Security

— Symmetrical 128-KB blocks

— 128 Mbit (128 blocks)

— 64 Mbit (64 blocks)

— 32 Mbit (32 blocks)

Performance

— Enhanced security options for code

protection

— 128-bit Protection Register:

64 unique device identification bits

64 user-programmable OTP bits

— Absolute protection with V_PEN= Vss

— Individual block locking

— Block erase/program lockout during power

transitions

— 75 ns Initial Access Speed

— 25 ns 8-word Asynchronous page-mode

reads

— 256-Word write buffer for x16 mode, 256-

Byte write buffer for x8 mode;

Software

— Program and erase suspend support

4 µs per Byte Effective programming time

— Flash Data Integrator (FDI), Common Flash

Interface (CFI) Compatible

— Scalable Command Set

System Voltage

— V_CC= 2.7 V to 3.6 V

— V_CCQ= 2.7 V to 3.6 V

Packaging

Quality and Reliability

— Operating temperature:

-40 °C to +85 °C

— 100K Minimum erase cycles per block

— 65 nm ETOX™ X Flash Technology

— 56-Lead TSOP

— 64-Ball Numonyx^™Easy BGA package

208032-01

May 2009

12 3 4 5 6 7...66

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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JS28F128J3F75B	MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard	获取价格
JS28F128J3F75D	MICRON	Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard	获取价格
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