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JMTT8810KS

更新时间： 2024-11-22 14:54:55

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捷捷微 - JJM		/
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6页	342K
描述
低压 N-ch (≤ 30V )

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JMTT8810KS 数据手册

JMTT8810KS

Description

JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 20V, 4.8A

 Load Switch

 PWM Application

R_DS(ON)< 22mΩ @ V_GS=4.5V

R_DS(ON)< 35mΩ @ V_GS=2.5V

 Advanced Trench Technology

 Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead free product is acquired

 ESD Rating: HBM 2KV

 Power management

TSSOP-8 top view

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

(PCS)

Per Carton

Device Marking

Device

OUTLINE

Device Package

Reel Size

(PCS)

8810KS

JMTT8810KS

TAPING

TSSOP-8

13inch

5000

60000

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

V_DSS

Parameter

Max.

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GSS

±10

T_A= 25℃

4.8

I_D

Continuous Drain Current

T_A= 100℃

3.1

Pulsed Drain Current ^note1

Power Dissipation

I_DM

P_D

T_A= 25℃

0.83

151

℃/W

℃

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

R_θJA

T_J, T_STG

-55 to +150

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.0

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