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JMTQ3006C

更新时间: 2024-11-19 18:09:47
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捷捷微 - JJM /
页数 文件大小 规格书
7页 1319K
描述
低压 N-ch (≤ 30V )

JMTQ3006C 数据手册

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30V, 52A, 6.1mΩ N-channel Power Trench MOSFET  
JMTQ3006C  
Product Summary  
Features  
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  
100% UIS Tested  
Parameters  
VDSS  
Value  
30  
Unit  
V
100% ΔVds Tested  
VGS(th)_Typ  
1.7  
52  
V
Halogen-free; RoHS-compliant  
Pb-free plating  
ID(@VGS=10V)  
RDS(ON)_Typ(@VGS=10V  
RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V  
A
4.3  
6.1  
mW  
mW  
Applications  
Load Switch  
PWM Application  
Power Management  
D
S
G
PDFN3x3-8L  
Schematic Diagram  
Pin Assignment  
Ordering Information  
Device  
Per Carton  
Package  
Marking  
MSL  
Form  
Reel(pcs)  
(pcs)  
JMTQ3006C  
PDFN3x3-8L  
Q3006C  
1
Tape&Reel  
5000  
50000  
Absolute Maximum Ratings (@ TC = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Value  
Symbol  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
30  
V
V
±20  
TC = 25°C  
52  
ID  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current (1)  
A
TC = 100°C  
33  
IDM  
Refer to Fig.4  
A
Single Pulsed Avalanche Energy (2)  
TC = 25°C  
TC = 100°C  
Junction & Storage Temperature Range  
EAS  
54  
26  
mJ  
PD  
Power Dissipation  
W
10  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Ambient(3)  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Max  
52  
Symbol  
RθJA  
RθJC  
4.8  
All product information is copyrighted and subject to legal disclaimers.  
REV 1.0 | 1/7  

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